- 产品型号 GD30MPS06J
- 品牌 GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
- 分类 单二极管
-
PDF
技术细节
- 包装/箱 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 安装类型 Surface Mount
- 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
- 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
- 电容@Vr, F 735pF @ 1V, 1MHz
- 电流 - 平均整流 (Io) 51A
- 供应商设备包 TO-263-7
- 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
- 电压 - 直流反向 (Vr)（最大） 650 V
相关产品
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
库存: 26947
DIODE SIL CARB 650V 73A D2PAK-2
库存: 955
DIODE SIL CARBIDE 650V 73A D2PAK
库存: 1362
DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
库存: 101
DIODE SIL CARB 1.2KV 59A TO263-7
库存: 0
DIODE SIL CARB 1.2KV 38A TO252-2
库存: 218
DIODE SIL CARB 1.2KV 110A TO247
库存: 719
