库存:1504

技术细节

  • 包装/箱 Module
  • 安装类型 Chassis Mount
  • 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 300A (Tc)
  • 功耗(最大) 1360W (Tc)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 5.6V @ 80mA
  • 供应商设备包 Module
  • Vgs(最大) +22V, -4V
  • 漏源电压 (Vdss) 1200 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 15000 pF @ 10 V

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