- 产品型号 IMW65R107M1HXKSA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 包装/箱 TO-247-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 142mOhm @ 8.9A, 18V
- 功耗（最大） 75W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 5.7V @ 3mA
- 供应商设备包 PG-TO247-3-41
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 18V
- Vgs（最大） +23V, -5V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 15 nC @ 18 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 496 pF @ 400 V
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