库存:1785

技术细节

  • 包装/箱 TO-247-3
  • 安装类型 Through Hole
  • 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 66A (Tc)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 50mOhm @ 25A, 18V
  • 功耗(最大) 291W (Tc)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 4.3V @ 8mA
  • 供应商设备包 TO-247-3
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 15V, 18V
  • Vgs(最大) +22V, -8V
  • 漏源电压 (Vdss) 650 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 105 nC @ 18 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1870 pF @ 325 V

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