技术细节

• 包装/箱 4-DIP (0.300", 7.62mm)
• 安装类型 Through Hole
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 P-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 600mA (Ta)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 1.6Ohm @ 300mA, 10V
• 供应商设备包 4-HVMDIP
• 漏源电压 (Vdss) 60 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 15 nC @ 15 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 250 pF @ 25 V