- 产品型号 SIDR610DP-T1-GE3
- 品牌 Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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库存:1500
定价:
- 3000 1.6
- 6000 1.54
技术细节
- 安装类型 PowerPAK® SO-8
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
- 25°C时的电阻值 31.9mOhm @ 10A, 10V
- 套圈材料 6.25W (Ta), 125W (Tc)
- 势垒类型 4V @ 250µA
- 最大交流电压 PowerPAK® SO-8DC
- 皮带长度 7.5V, 10V
- 步进数量 ±20V
- 200 V
- 38 nC @ 10 V
- 1380 pF @ 100 V
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