- 产品型号 SIDR626DP-T1-GE3
- 品牌 Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N-CH 60V 42.8A/100A PPAK
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 3000 1.23
- 6000 1.19
技术细节
- 安装类型 PowerPAK® SO-8
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 42.8A (Ta), 100A (Tc)
- 25°C时的电阻值 1.7mOhm @ 20A, 10V
- 套圈材料 6.25W (Ta), 125W (Tc)
- 势垒类型 3.4V @ 250µA
- 最大交流电压 PowerPAK® SO-8DC
- 皮带长度 6V, 10V
- 步进数量 ±20V
- 60 V
- 102 nC @ 10 V
- 5130 pF @ 30 V
相关产品
MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SOT23W
库存: 40092
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
库存: 40338
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
库存: 235988
MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
库存: 2773
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
库存: 15638
MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK
库存: 5379
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
库存: 5503
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
库存: 11142
MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK
库存: 17492
MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
库存: 5086
