- 产品型号 IPD80R1K0CEATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:6089
定价:
- 2500 0.68
- 5000 0.65
- 12500 0.63
技术细节
- 安装类型 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 5.7A (Tc)
- 25°C时的电阻值 950mOhm @ 3.6A, 10V
- 套圈材料 83W (Tc)
- 势垒类型 3.9V @ 250µA
- 最大交流电压 PG-TO252-3
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 800 V
- 31 nC @ 10 V
- 785 pF @ 100 V
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