- 产品型号 SPB11N60C3ATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:4081
定价:
- 1000 1.8
- 2000 1.69
- 5000 1.62
技术细节
- 安装类型 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 11A (Tc)
- 25°C时的电阻值 380mOhm @ 7A, 10V
- 套圈材料 125W (Tc)
- 势垒类型 3.9V @ 500µA
- 最大交流电压 PG-TO263-3-2
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 650 V
- 60 nC @ 10 V
- 1200 pF @ 25 V
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