- 产品型号 SPD04N80C3ATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 2500 0.73
- 5000 0.7
- 12500 0.68
技术细节
- 安装类型 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 4A (Tc)
- 25°C时的电阻值 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
- 套圈材料 63W (Tc)
- 势垒类型 3.9V @ 240µA
- 最大交流电压 PG-TO252-3
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 800 V
- 31 nC @ 10 V
- 570 pF @ 100 V
相关产品
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
库存: 27848
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
库存: 524415
MOSFET N-CH 800V 4A TO252
库存: 18277
MOSFET P-CH 100V 6A SOT223
库存: 27966
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
库存: 25496
DIODE GEN PURP 800V 1A SMA
库存: 32658
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
库存: 14898
RECTIFIER DIODE, 1A, 800V, DO-21
库存: 1119211
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
库存: 557
MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
库存: 2200
