- 产品型号 IPI65R190C6XKSA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262-3
- 分类 单 FET、MOSFET
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PDF
库存:1980
定价:
- 1 3.5
- 50 2.77
- 100 2.38
- 500 2.11
- 1000 1.81
- 2000 1.7
- 5000 1.63
技术细节
- 安装类型 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 20.2A (Tc)
- 25°C时的电阻值 190mOhm @ 7.3A, 10V
- 套圈材料 151W (Tc)
- 势垒类型 3.5V @ 730µA
- 最大交流电压 PG-TO262-3
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 650 V
- 73 nC @ 10 V
- 1620 pF @ 100 V
