- 产品型号 TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
- 品牌 Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 2000 0.49
- 6000 0.46
- 10000 0.45
技术细节
- 安装类型 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 P-Channel
- 外部接触面镀层厚度 8A (Ta)
- 25°C时的电阻值 104mOhm @ 4A, 10V
- 套圈材料 27W (Tc)
- 势垒类型 3V @ 1mA
- 最大交流电压 DPAK+
- 皮带长度 6V, 10V
- 步进数量 +10V, -20V
- 60 V
- 19 nC @ 10 V
- 890 pF @ 10 V
相关产品
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
库存: 421264
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
库存: 159000
400MW SURFACE MOUNT SWITCHING DI
库存: 31545
High Speed Switching Diode
库存: 8975
DIODE, SWITCHING, 300MA, 75V, SO
库存: 7183
SOD-123F, 75V, 0.15A, SWITCHING
库存: 0
DIODE GEN PURP 75V 0.15A SOD123F
库存: 9022
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOD123F
库存: 2000
MOSFET P-CH 60V 12A TO252
库存: 184885
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
库存: 8294
