- 产品型号 IPB60R160C6ATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 MOSFET N-CH 600V 23.8A D2PAK
- 分类 单 FET、MOSFET
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PDF
- 1000 2.02
- 2000 1.9
- 5000 1.82
技术细节
- 安装类型 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 23.8A (Tc)
- 25°C时的电阻值 160mOhm @ 11.3A, 10V
- 套圈材料 176W (Tc)
- 势垒类型 3.5V @ 750µA
- 最大交流电压 PG-TO263-3
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 600 V
- 75 nC @ 10 V
- 1660 pF @ 100 V
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