技术细节

• 包装/箱 TO-3P-3 Full Pack
• 安装类型 Through Hole
• 工作温度 150°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 9Ohm @ 1.3A, 10V
• 功耗（最大） 63W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 250µA
• 供应商设备包 TO-3PF
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
• Vgs（最大） ±30V
• 漏源电压 (Vdss) 1500 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 29.3 nC @ 10 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 939 pF @ 25 V