- 产品型号 18N20J
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- 描述 N200V, 18A,RD<0.16@10V,VTH1V~3V,
- 分类 单 FET、MOSFET
库存:1500
定价:
- 1 0.93
- 75 0.75
- 150 0.59
- 525 0.5
- 1050 0.41
- 2025 0.39
- 5025 0.37
- 10050 0.35
技术细节
- 安装类型 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 18A (Tc)
- 25°C时的电阻值 160mOhm @ 9A, 10V
- 套圈材料 65.8W (Tc)
- 势垒类型 3V @ 250µA
- 最大交流电压 TO-251
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±30V
- 200 V
- 17.7 nC @ 10 V
- 836 pF @ 25 V
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