- 产品型号 IGLR60R190D1XUMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 GAN HV
- 分类 单 FET、MOSFET
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- 5000 2.79
技术细节
- 安装类型 8-PowerTDFN
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 GaNFET (Gallium Nitride)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 12.8A (Tc)
- 套圈材料 55.5W (Tc)
- 势垒类型 1.6V @ 960µA
- 最大交流电压 PG-TSON-8-6
- 步进数量 -10V
- 600 V
- 157 pF @ 400 V
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