- 产品型号 18N20F
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- 描述 N200V, 18A,RD<0.19@10V,VTH1.0V~3
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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库存:1575
定价:
- 1 1.17
- 50 0.94
- 100 0.74
- 500 0.63
- 1000 0.51
- 2000 0.48
- 5000 0.46
- 10000 0.44
技术细节
- 安装类型 TO-220-3 Full Pack
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 18A (Tc)
- 25°C时的电阻值 190mOhm @ 9A, 10V
- 套圈材料 110W (Tc)
- 势垒类型 3V @ 250µA
- 最大交流电压 TO-220F
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 200 V
- 17.7 nC @ 10 V
- 836 pF @ 25 V
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