- 产品型号 630AT
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- 描述 N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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库存:1587
定价:
- 1 0.94
- 10 0.82
- 100 0.57
- 500 0.47
- 1000 0.4
- 2000 0.36
- 5000 0.34
- 10000 0.31
技术细节
- 安装类型 TO-220-3
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 9A (Tc)
- 25°C时的电阻值 250mOhm @ 1A, 10V
- 套圈材料 83W (Tc)
- 势垒类型 2.2V @ 250µA
- 最大交流电压 TO-220
- 皮带长度 4.5V, 10V
- 步进数量 ±20V
- 200 V
- 11.8 nC @ 10 V
- 509 pF @ 25 V
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