- 产品型号 G2014
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- 描述 N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:4440
定价:
- 3000 0.14
- 6000 0.14
- 9000 0.13
- 30000 0.12
- 75000 0.12
技术细节
- 安装类型 6-WDFN Exposed Pad
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 14A (Tc)
- 25°C时的电阻值 7mOhm @ 5A, 10V
- 套圈材料 3W (Tc)
- 势垒类型 900mV @ 250µA
- 最大交流电压 6-DFN (2x2)
- 皮带长度 2.5V, 10V
- 步进数量 ±12V
- 20 V
- 17.5 nC @ 4.5 V
- 1710 pF @ 10 V
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