- 产品型号 NTMFS3D2N10MDT1G
 - 品牌 Sanyo Semiconductor/onsemi
 - RoHS Yes
 - 描述 PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
 - 分类 单 FET、MOSFET
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                                 库存:2975
                                
                            
                            
                                 定价:
                            
                            - 1500 1.61
 - 3000 1.51
 
技术细节
- 包装/箱 8-PowerTDFN, 5 Leads
 - 安装类型 Surface Mount
 - 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
 - 技术 MOSFET (Metal Oxide)
 - 场效应管类型 N-Channel
 - 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 19A (Ta), 142A (Tc)
 - Rds On(最大)@Id、Vgs 3.5mOhm @ 50A, 10V
 - 功耗(最大) 2.8W (Ta), 155W (Tc)
 - Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 316µA
 - 供应商设备包 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
 - 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 6V, 10V
 - Vgs(最大) ±20V
 - 漏源电压 (Vdss) 100 V
 - 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 71.3 nC @ 10 V
 - 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 3900 pF @ 50 V