- 产品型号 IMBG65R072M1HXTMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
- 1000 5.12
- 2000 4.8
技术细节
- 安装类型 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 匝数 Surface Mount
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 SiCFET (Silicon Carbide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 33A (Tc)
- 25°C时的电阻值 94mOhm @ 13.3A, 18V
- 套圈材料 140W (Tc)
- 势垒类型 5.7V @ 4mA
- 最大交流电压 PG-TO263-7-12
- 皮带长度 18V
- 步进数量 +23V, -5V
- 650 V
- 22 nC @ 18 V
- 744 pF @ 400 V
相关产品
650V 120M SIC MOSFET
库存: 1475
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
库存: 68
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263
库存: 1902
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
库存: 923
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
库存: 0
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
库存: 825
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
库存: 928
SILICON CARBIDE MOSFET
库存: 1965
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
库存: 0
SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L
库存: 800
