技术细节

• 包装/箱 TO-247-3
• 安装类型 Through Hole
• 工作温度 175°C
• 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 585mOhm @ 3A, 18V
• 功耗（最大） 85W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 900µA
• 供应商设备包 TO-247N
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 18V
• Vgs（最大） +22V, -6V
• 漏源电压 (Vdss) 1200 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 27 nC @ 18 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 463 pF @ 800 V