- 产品型号 IRFD110
- 品牌 Harris Corporation
- RoHS No
- 描述 1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:45868
技术细节
- 安装类型 4-DIP (0.300", 7.62mm)
- 匝数 Through Hole
- 扭矩 - 螺丝 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 功能 - 照明 MOSFET (Metal Oxide)
- 外部触点镀层 N-Channel
- 外部接触面镀层厚度 1A (Ta)
- 25°C时的电阻值 540mOhm @ 600mA, 10V
- 套圈材料 1.3W (Ta)
- 势垒类型 4V @ 250µA
- 最大交流电压 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
- 皮带长度 10V
- 步进数量 ±20V
- 100 V
- 8.3 nC @ 10 V
- 180 pF @ 25 V
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