库存:2484

技术细节

  • 包装/箱 TO-220-2 Full Pack
  • 安装类型 Through Hole
  • 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 反向恢复时间 (trr) 0 ns
  • 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 电容@Vr, F 200pF @ 1V, 1MHz
  • 电流 - 平均整流 (Io) 4A
  • 供应商设备包 TO-220FM
  • 工作温度 - 结 175°C (Max)
  • 电压 - 直流反向 (Vr)(最大) 650 V
  • 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 1.5 V @ 4 A
  • 电流 - 反向漏电流@Vr 20 µA @ 650 V

相关产品


DIODE SIL CARB 650V 2.15A LPTL

库存: 499

DIODE SIL CARB 650V 4A TO220ACP

库存: 705

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A LPTL

库存: 974

DIODE SIL CARB 650V 6A TO220ACP

库存: 0

DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACP

库存: 0

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPTL

库存: 518

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220FM

库存: 215

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM

库存: 293

Top