- 产品型号 FDD13AN06A0
- 品牌 Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A DPAK
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:11399
技术细节
- 包装/箱 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9.9A (Ta), 50A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 13.5mOhm @ 50A, 10V
- 功耗(最大) 115W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA
- 供应商设备包 TO-252AA
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 6V, 10V
- Vgs(最大) ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 60 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 29 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1350 pF @ 25 V