库存:4381

技术细节

  • 包装/箱 4-PowerTSFN
  • 安装类型 Surface Mount
  • 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 反向恢复时间 (trr) 0 ns
  • 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 电容@Vr, F 365pF @ 1V, 100kHz
  • 电流 - 平均整流 (Io) 8A
  • 供应商设备包 4-PQFN (8x8)
  • 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
  • 电压 - 直流反向 (Vr)(最大) 650 V
  • 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 1.75 V @ 6 A
  • 电流 - 反向漏电流@Vr 200 µA @ 650 V

相关产品


DIODE SIL CARB 650V 6A POWERFLAT

库存: 7781

Top