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定价:
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技术细节

  • 包装/箱 TO-220-2
  • 安装类型 Through Hole
  • 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 反向恢复时间 (trr) 0 ns
  • 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 电容@Vr, F 110pF @ 1V, 1MHz
  • 电流 - 平均整流 (Io) 2.15A
  • 供应商设备包 TO-220ACP
  • 工作温度 - 结 175°C (Max)
  • 电压 - 直流反向 (Vr)(最大) 650 V
  • 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 1.5 V @ 2 A
  • 电流 - 反向漏电流@Vr 10.8 µA @ 650 V

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