技术细节
- 包装/箱 Die
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 48A (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 3.8mOhm @ 25A, 5V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 9mA
- 供应商设备包 Die
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5V
- Vgs（最大） +6V, -4V
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 14.8 nC @ 5 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1895 pF @ 50 V
相关产品
GANFET N-CH 100V 18A DIE
库存: 102469
GANFET N-CH 100V 48A DIE
库存: 3014
GANFET N-CH 100V 16A DIE
库存: 35335
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
库存: 1578
GANFET N-CH 100V DIE
库存: 15356
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
库存: 49640
TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
库存: 7026
DIODE SCHOTTKY 100V 200MA SOD323
库存: 88790
DIODE SCHOTTKY 150V 5A PMDTM
库存: 19819
