技术细节
- 包装/箱 TO-247-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 34A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 60mOhm @ 22A, 10V
- 功耗（最大） 119W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.8V @ 700µA
- 供应商设备包 TO-247-3
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 12V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 24 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1000 pF @ 400 V
相关产品
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
库存: 263
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
库存: 570
SIC DISCRETE
库存: 228
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
库存: 1546
650 V 95 A GAN FET
库存: 713
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
库存: 590
650 V 46.5 GAN FET
库存: 281
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
库存: 302
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
库存: 540
650 V 34 A GAN FET
库存: 213
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
库存: 43
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
库存: 6507
MOSFET 650V, 480mOhm
库存: 0
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
库存: 107
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
库存: 324
