技术细节

• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 282A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 1.05mOhm @ 50A, 10V
• 功耗（最大） 139W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
• Vgs（最大） ±20V
• 漏源电压 (Vdss) 40 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 133 nC @ 10 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 9500 pF @ 20 V