库存:1500

技术细节

  • 包装/箱 ISOPLUSi5-PAK™
  • 安装类型 Through Hole
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2A (Tc)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 20Ohm @ 1A, 10V
  • 功耗(最大) 220W (Tc)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 6V @ 250µA
  • 供应商设备包 ISOPLUSi5-Pak™
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10V
  • Vgs(最大) ±20V
  • 漏源电压 (Vdss) 4700 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 180 nC @ 10 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 6860 pF @ 25 V

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