- 产品型号 FCP360N65S3R0
- 品牌 Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 650V 10A TO220-3
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:1907
定价:
- 1 2.64
- 50 2.12
- 100 1.75
- 500 1.48
- 1000 1.25
- 2000 1.19
- 5000 1.15
技术细节
- 包装/箱 TO-220-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 360mOhm @ 5A, 10V
- 功耗(最大) 83W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 4.5V @ 1mA
- 供应商设备包 TO-220-3
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10V
- Vgs(最大) ±30V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 18 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 730 pF @ 400 V