库存:3490

技术细节

  • 包装/箱 4-PowerTSFN
  • 安装类型 Surface Mount
  • 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
  • 反向恢复时间 (trr) 0 ns
  • 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
  • 电容@Vr, F 70pF @ 1V, 1MHz
  • 电流 - 平均整流 (Io) 2A
  • 供应商设备包 PG-VSON-4
  • 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
  • 电压 - 直流反向 (Vr)(最大) 650 V
  • 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 1.7 V @ 2 A
  • 电流 - 反向漏电流@Vr 35 µA @ 650 V

相关产品


MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR

库存: 29014

DIODE SIL CARB 650V 2A TO263-2

库存: 944

DIODE SIL CARBIDE 650V 4A VSON-4

库存: 3447

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A VSON-4

库存: 2908

DIODE SIL CARB 650V 12A VSON-4

库存: 15260

IC EEPROM 8KBIT I2C 8UFDFPN

库存: 15030

MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT

库存: 6000

DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK

库存: 12201

Top