- 产品型号 SIS888DN-T1-GE3
- 品牌 Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:6805
技术细节
- 包装/箱 PowerPAK® 1212-8S
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TA)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20.2A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 58mOhm @ 10A, 10V
- 功耗(最大) 52W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 4.2V @ 250µA
- 供应商设备包 PowerPAK® 1212-8S
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 7.5V, 10V
- Vgs(最大) ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 150 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 14.5 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 420 pF @ 75 V