- 产品型号 IPL60R185P7AUMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:6640
技术细节
- 包装/箱 4-PowerTSFN
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 19A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 185mOhm @ 5.6A, 10V
- 功耗(最大) 81W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 280µA
- 供应商设备包 PG-VSON-4
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10V
- Vgs(最大) ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 600 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 25 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1081 pF @ 400 V