- 产品型号 IDH04G65C5XKSA2
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-1
- 分类 单二极管
-
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技术细节
- 包装/箱 TO-220-2
- 安装类型 Through Hole
- 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
- 反向恢复时间 (trr) 0 ns
- 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
- 电容@Vr, F 130pF @ 1V, 1MHz
- 电流 - 平均整流 (Io) 4A
- 供应商设备包 PG-TO220-2-1
- 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
- 电压 - 直流反向 (Vr)（最大） 650 V
- 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 1.7 V @ 4 A
- 电流 - 反向漏电流@Vr 70 µA @ 650 V
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