- 产品型号 SIR624DP-T1-GE3
- 品牌 Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 200V 18.6A PPAK SO-8
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:1500
技术细节
- 包装/箱 PowerPAK® SO-8
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 18.6A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 60mOhm @ 10A, 10V
- 功耗(最大) 52W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA
- 供应商设备包 PowerPAK® SO-8
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 7.5V, 10V
- Vgs(最大) ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 200 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 23 nC @ 7.5 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1110 pF @ 100 V