- 产品型号 IPB65R110CFDAATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 包装/箱 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 31.2A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 110mOhm @ 12.7A, 10V
- 功耗（最大） 277.8W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 1.3mA
- 供应商设备包 PG-TO263-3
- 年级 Automotive
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 118 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 3240 pF @ 100 V
- 资质 AEC-Q101
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