技术细节
- 包装/箱 Die
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 48A (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 7mOhm @ 25A, 5V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 9mA
- 供应商设备包 Die
- 漏源电压 (Vdss) 150 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 10 nC @ 5 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1140 pF @ 75 V
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