- 产品型号 IRF200B211
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:6154
定价:
- 1 1.48
- 50 1.19
- 100 0.94
- 500 0.8
- 1000 0.65
- 2000 0.61
- 5000 0.58
- 10000 0.56
技术细节
- 包装/箱 TO-220-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 170mOhm @ 7.2A, 10V
- 功耗（最大） 80W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.9V @ 50µA
- 供应商设备包 TO-220AB
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 200 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 23 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 790 pF @ 50 V
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