- 产品型号 CSD13306W
- 品牌 Texas Instruments
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:4455
技术细节
- 包装/箱 6-UFBGA, DSBGA
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
- 功耗(最大) 1.9W (Ta)
- Vgs(th)(最大值)@Id 1.3V @ 250µA
- 供应商设备包 6-DSBGA (1x1.5)
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 2.5V, 4.5V
- Vgs(最大) ±10V
- 漏源电压 (Vdss) 12 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 11.2 nC @ 4.5 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1370 pF @ 6 V