技术细节

• 包装/箱 8-CDIP Exposed Pad
• 安装类型 Through Hole
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 N-Channel
• Rds On（最大）@Id、Vgs 400mOhm @ 100mA, 5V
• 功耗（最大） 50W (Tj)
• Vgs(th)（最大值）@Id 2.4V @ 100µA
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5V
• Vgs（最大） 10V
• 漏源电压 (Vdss) 55 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 4.3 nC @ 5 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 290 pF @ 28 V