- 产品型号 RT1A060APTR
- 品牌 ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:1556
技术细节
- 包装/箱 8-SMD, Flat Leads
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 P-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6A (Ta)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 19mOhm @ 6A, 4.5V
- 功耗(最大) 600mW (Ta)
- Vgs(th)(最大值)@Id 1V @ 1mA
- 供应商设备包 8-TSST
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 1.5V, 4.5V
- Vgs(最大) -8V
- 漏源电压 (Vdss) 12 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 80 nC @ 4.5 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 7800 pF @ 6 V