技术细节
- 包装/箱 Die
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 60A (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 1.3mOhm @ 40A, 5V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 20mA
- 供应商设备包 Die
- 漏源电压 (Vdss) 30 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2300 pF @ 15 V
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