技术细节
- 包装/箱 Die
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4A (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 160mOhm @ 500mA, 5V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA
- 供应商设备包 Die
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5V
- Vgs（最大） +6V, -4V
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 0.48 nC @ 5 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 55 pF @ 50 V
相关产品
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
库存: 22058
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
库存: 28263
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
库存: 82458
GANFET N-CH 100V 16A DIE
库存: 35335
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
库存: 2698
GANFET N-CH 40V 4A DIE
库存: 8591
GANFET N-CH 65V 4A DIE
库存: 9793
THERMISTOR NTC 10KOHM 3950K 0402
库存: 7658
