技术细节
- 包装/箱 Die
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 100mOhm @ 3A, 5V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 1mA
- 供应商设备包 Die
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5V
- Vgs（最大） +6V, -4V
- 漏源电压 (Vdss) 200 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 1.3 nC @ 5 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 140 pF @ 100 V
相关产品
DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2
库存: 749312
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
库存: 22058
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
库存: 96061
GANFET N-CH 200V 48A DIE
库存: 12891
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
库存: 28263
TRANS GAN BUMPED DIE
库存: 12647
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
库存: 18274
Linear IC's
库存: 0
