技术细节

• 包装/箱 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 安装类型 Through Hole
• 晶体管类型 4 NPN (Quad)
• 工作温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
• 功率 - 最大 650mW
• 集电极电流 (Ic)（最大） 500mA
• 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 40V
• Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic 1.6V @ 30mA, 300mA
• 电流 - 集电极截止（最大） 50nA (ICBO)
• 直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce 100 @ 150mA, 10V
• 频率-转变 200MHz
• 供应商设备包 TO-116