- 产品型号 CSD23202W10T
- 品牌 Texas Instruments
- RoHS 1
- 描述 MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:17131
技术细节
- 包装/箱 4-UFBGA, DSBGA
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 P-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 53mOhm @ 500mA, 4.5V
- 功耗(最大) 1W (Ta)
- Vgs(th)(最大值)@Id 900mV @ 250µA
- 供应商设备包 4-DSBGA (1x1)
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 1.5V, 4.5V
- Vgs(最大) -6V
- 漏源电压 (Vdss) 12 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 3.8 nC @ 4.5 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 512 pF @ 6 V