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技术细节

  • 包装/箱 4-UFBGA, DSBGA
  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管类型 P-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.2A (Ta)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 53mOhm @ 500mA, 4.5V
  • 功耗(最大) 1W (Ta)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 900mV @ 250µA
  • 供应商设备包 4-DSBGA (1x1)
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 1.5V, 4.5V
  • Vgs(最大) -6V
  • 漏源电压 (Vdss) 12 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 3.8 nC @ 4.5 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 512 pF @ 6 V

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