库存:19523

技术细节

  • 包装/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管类型 P-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 13.4A (Tc)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 15.5mOhm @ 9A, 4.5V
  • 功耗(最大) 5W (Tc)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 1V @ 250µA
  • 供应商设备包 8-SOIC
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 1.8V, 4.5V
  • Vgs(最大) ±8V
  • 漏源电压 (Vdss) 20 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 90 nC @ 8 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 2380 pF @ 10 V

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