- 产品型号 2SK2009TE85LF
- 品牌 Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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库存:3352
技术细节
- 包装/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 2Ohm @ 50MA, 2.5V
- 功耗（最大） 200mW (Ta)
- Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V @ 100µA
- 供应商设备包 SC-59-3
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 30 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 70 pF @ 3 V
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